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RQ3E120BNTB  与  BSZ088N03MS G  区别

型号 RQ3E120BNTB BSZ088N03MS G
唯样编号 A33-RQ3E120BNTB-0 A-BSZ088N03MS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V 8.8mΩ
上升时间 30ns 3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.1W
Qg-栅极电荷 29nC -
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 46ns 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN -
连续漏极电流Id 12A 11A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3M
长度 - 3.3mm
下降时间 12ns 2.4ns
典型接通延迟时间 9ns 4.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.8364
100+ :  ¥2.2711
300+ :  ¥1.8974
500+ :  ¥1.8207
1,000+ :  ¥1.7632
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel

¥2.8364 

阶梯数 价格
60: ¥2.8364
100: ¥2.2711
300: ¥1.8974
500: ¥1.8207
1,000: ¥1.7632
3,000 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

¥0.6611 

阶梯数 价格
80: ¥0.6611
2,000: ¥0.6094
4,000 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.0791 

阶梯数 价格
50: ¥1.0791
100: ¥0.8294
1,250: ¥0.6908
2,181 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比

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